Infineon IPN50R3K0CEATMA1
Obsolete
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -99.99%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPN50R3K0CEATMA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-04-15
LTD Date2024-10-15
Parti correlate
InfineonIPN50R2K0CEATMA1
INFINEON IPN50R2K0CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 500 V, 1.8 ohm, 13 V, 3 VNew
InfineonIPN50R950CEATMA1
INFINEON IPN50R950CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 VNew
InfineonIPN50R1K4CEATMA1
INFINEON IPN50R1K4CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 VNew
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPN50R3K0CEATMA1 fornite dai suoi distributori.
INFINEON IPN50R3K0CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, 13 V, 3 VNew
MOSFET, N-CH, 500V, 2.6A, SOT-223 ROHS COMPLIANT: YES
Cost-effective drop-in replacement for DPAK, PG-SOT223-4-3, RoHS
Infineon SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Small Signal Field-Effect Transistor
MOSFET, N-CH, 500V, 2.6A, SOT-223-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):2.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:13V; Threshold Voltage Vgs:3V; P
Infineon is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -99.99%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3 Ω
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation5 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time7.3 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità