Infineon IPD26N06S2L35ATMA2

N-Channel 55 V 35 mOhm OptiMOS® Power-Transistor - PG-TO252-3-11
$ 0.438
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
AvnetIPD26N06S2L35ATMA225002500
1d
Newark
2
IPD26N06S2L35ATMA254415Cut Tape
Arrow Electronics
3
IPD26N06S2L35ATMA224801
RutronikTMOSP1162550002500
5h
Rochester ElectronicsIPD26N06S2L35ATMA237.995
22h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPD26N06S2L35ATMA2.

IHS

Datasheet8 pagine19 anni fa

TME

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-3.68%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IPD26N06S2L35ATMA2, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
Impronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginMalaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-08-30
LTD Date2024-08-30

Parti correlate

InfineonIRFR4105ZTRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Dettagli
InfineonIRFR4105TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 27A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W
Dettagli
InfineonIPD25N06S240ATMA2
Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 55 V, 0.0286 Ohm, 10 V, 3 V
Dettagli
STMicroelectronicsSTD30N6LF6AG
Automotive-grade N-channel 60 V, 19 mOhm typ., 24 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Dettagli
Diodes Inc.DMPH6050SK3Q-13
P-Channel 60 V 50 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO-252
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPD26N06S2L35ATMA2 fornite dai suoi distributori.

N-Channel 55 V 35 mOhm OptiMOS® Power-Transistor - PG-TO252-3-11
Future Electronics
55V, N-Ch, 35 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
OPTIMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 55V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V;
element14 APAC
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Infineon

Immagini

iiiC
TME
element14 APAC
TME
RS APAC
LZChips
Rochester Electronics
iiiC

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPD26N06S2L-35
  • IPD26N06S2L35
  • IPD26N06S2L35ATMA1
  • SP001063630