Infineon IPB65R065C7ATMA2
$ 4.208
Production
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Rivenditori non autorizzati
Distributore
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Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +2.23%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPB65R065C7ATMA2.
Modelli CAD
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Supply Chain
Country of OriginGermany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPB65R065C7ATMA2 fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3 / N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Infineon NChannel EnhancedMOSFET Transistor + Diodes CoolMOSseries, Vds=700 V, 145 A, D2PAK （TO-263）encapsulation, surface mount, 3Pin
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +2.23%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation171 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance65 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation171 W
Rds On Max65 mΩ
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità