Infineon IPB60R040CFD7ATMA1
$ 4.675
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +33.82%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPB60R040CFD7ATMA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-05-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPB60R040CFD7ATMA1 fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Transistor MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin TO-263 T/R
Avnet Japan
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IPB60R040CFD7 Series 600 V 50 A 40 mOhm Single N-Channel MOSFET - TO-263-3
N-Channel 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Infineon NChannel EnhancedMOSTube IPA60Rseries, Vds=650 V, 18 A, TO-220 FPencapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N-CH, 600V, 50A, 150DEG C, 227W;
Infineon IPB60R040CFD7ATMA1 MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R040CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +33.82%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation227 W
Turn-Off Delay Time112 ns
Turn-On Delay Time36 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità