Infineon IPB110P06LMATMA1
$ 2.032
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +34.58%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPB110P06LMATMA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginAustria, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPB110P06LMATMA1 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin TO-263 T/R
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60V in D²PAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in normal and logic level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +34.58%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263
Contact PlatingTin
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Turn-Off Delay Time277 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height4.5 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPB110P06LMATMA1.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità