Infineon IPB039N10N3GATMA1

MOSFET, N-CH, 100V, 160A, TO263-7; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Dra
$ 1.39
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DistributorSKUMinPkg
AvnetIPB039N10N3GATMA130001K
3d
NewarkIPB039N10N3GATMA127191
Arrow Electronics
2
IPB039N10N3GATMA110001
Rochester ElectronicsIPB039N10N3GATMA113.987
14h
DigiKey
3
IPB039N10N3GATMA1CT-ND14.8341Cut Tape

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet9 pagine15 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
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Supply Chain

Country of OriginMalaysia, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Parti correlate

InfineonIPB042N10N3GATMA1
214KW 20V 88nC@ 10V 1N 100V 7.4m¦¸@ 6V,4.2m¦¸@ 10V 6.32nF@ 50V TO-263 , 10mm*925cm*4.5mm
Dettagli
InfineonIPB030N08N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
Dettagli
VishaySQM120N10-3M8_GE3
Mosfet Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.003 Ohm, 10 V, 3 V
Dettagli
InfineonIPB035N08N3GATMA1
214W 20V 3.5V 88nC@ 10V 1N 80V 3.5m¦¸@ 10V 100A 6.1nF@ 40V TO-263 , 10mm*9.25mm*4.4mm
Dettagli
VishaySUM90N10-8M2P-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
Dettagli
VishaySUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPB039N10N3GATMA1 fornite dai suoi distributori.

MOSFET, N-CH, 100V, 160A, TO263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Newark
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 160 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK
Verical
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA
IHS
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
MOSFET, N-CH, 100V, 160A, TO263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:160A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Power Dissipation Pd:214W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:7; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Farnell

Immagini

RS
element14 APAC
Newark
RS
TME
Future Electronics
LZChips
Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPB039N10N3 G
  • IPB039N10N3-G
  • IPB039N10N3G
  • SP000482428