Infineon IPA80R460CEXKSA1
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Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
InfineonIPA60R800CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V TO-220-3 / Trans MOSFET N-CH 600V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
STMicroelectronicsSTP8NK80ZFP
N-channel 800 V, 1.3 Ohm, 6.2 A, TO-220FP Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPA80R460CEXKSA1 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 800V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 800V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
N-CHANNEL POWER MOSFET
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance460 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation34 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation34 W
Rds On Max460 mΩ
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height19 mm
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