Infineon IMZA65R048M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R048M1HXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IMZA65R048M1HXKSA1

Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 650V 39A 4-Pin TO-247 Tube

$ 4.47

Production

Pagina del produttore

Prezzo e stock

Distributori autorizzati

Distributori di stock non autorizzati

Rivenditori non autorizzati

Vedi tutte le interruzioni di prezzo

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IMZA65R048M1HXKSA1	350	1		8,603	5,626	4,540	4,540	4,540	2d
Newark		IMZA65R048M1HXKSA1	114	1		11,390	10,140	7,230	6,820	6,820
Arrow Electronics	2	IMZA65R048M1HXKSA1	64	1		8,676	8,676	8,676	8,676	8,676
Future Electronics	2	IMZA65R048M1HXKSA1	240	30	Tube			4,680	4,500	4,430
Rochester Electronics		IMZA65R048M1HXKSA1	1324					4,350	3,890	3,660	23h

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -5.71%

Modelli CAD

Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP

Parti alternative

0 parti disponibili

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IMZA65R048M1HXKSA1.

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:

-5.71%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IMZA65R048M1HXKSA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTE	eCAD	mCAD	FILE
Component Search Engine	SimboloImpronta	3D	Scarica
EE Concierge	SimboloImpronta
SnapEDA	SimboloImpronta		Scarica
Ultra Librarian	SimboloImpronta		Scarica

Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD

Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-12-16

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IMZA65R048M1HXKSA1 fornite dai suoi distributori.

Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 650V 39A 4-Pin TO-247 Tube

Avnet Japan

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 39 A, 650 V, 64 Milliohms, TO-247, 4 Pins

Avnet

TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

ODG (Origin Data Global)

Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 650V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

Sic Mosfet, N-Ch, 650V, 39A, To-247-4; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:39A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:125W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMZA65R048M1HXKSA1

Newark

CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device’s performance, robustness, and ease of use. The IMZA65R048M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is built on a state-of-the-art trench semiconductor, optimized to allow no compromises in getting both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.Infineon’s SiC MOSFET in TO247 4-pin package reduces parasitic source inductance effects on the gate circuit enabling faster switching and increased efficiency.

Infineon

Immagini

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: