Infineon IMBG65R072M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R072M1HXTMA1
Brand: Infineon
SKU: IMBG65R072M1HXTMA1

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263

$ 3.589

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IMBG65R072M1HXTMA1	953	1		6,439	5,114	3,845	3,654	3,654
Rochester Electronics		IMBG65R072M1HXTMA1	2677					3,140	2,810	2,640	22h
DigiKey	2	448-IMBG65R072M1HXTMA1CT-ND	959	1	Cut Tape	8,010	5,429	3,967	3,844	3,844
Newark		IMBG65R072M1HXTMA1	0	1	Cut Tape	7,260	5,810	4,700	3,700	3,700
Avnet		IMBG65R072M1HXTMA1	0	1K					3,589	3,221	4d

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Supply Chain

Country of OriginAustria, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2022-01-11

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IMBG65R072M1HXTMA1 fornite dai suoi distributori.

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

IHS

Sic Mosfet, N-Ch, 650V, 33A, To-263-7; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:140W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMBG65R072M1HXTMA1

Newark

CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device performance, robustness, and ease of use. The IMBG65R072M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is a compact SMD 7 pin SiC MOSFET built on a state-of-the-art Infineon SiC trench technology and used in mid power applications. It is optimized to enable max system performance, compactness and reliability.

Infineon

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: