Infineon IGW75N65H5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
$ 2.398
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IGW75N65H5XKSA1.

IHS

Datasheet14 pagine0 anni fa

Infineon

Farnell

TME

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+123%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IGW75N65H5XKSA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-05-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Parti correlate

STMicroelectronicsSTGW80H65DFB
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
STMicroelectronicsSTGW60H65DRF
STGW60H65DRF Series 650 V 120 A Field Stop Trench Gate IGBT - TO-247
650V, 30A, TO-247-3 Low VCE(sat) IGBT in TRENCHSTOP 5 technology
650V, 50A, Field Stop Trench IGBT 650V, 50A, Field Stop Trench IGBT
FGH60N60SMD Series 600 V 60 A Through Hole Field Stop IGBT - TO-247-3
IGBT 600V 60A 378W TO247 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IGW75N65H5XKSA1 fornite dai suoi distributori.

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Infineon’s new TRENCHSTOP™5 IGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.
IGBT, SINGLE, 650V, 120A, TO-247; DC Collector Current: 120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.65V; Power Dissipation Pd: 395W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pi
Igbt, Single, 650V, 120A, To-247; Continuous Collector Current:120A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:395W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IGW75N65H5XKSA1

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IGW75N65H5
  • SP001257936