Infineon IGB30N60H3ATMA1

Name: Infineon IGB30N60H3ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IGB30N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

$ 1.03

Production

Pagina del produttore Scheda dati

Prezzo e stock

Distributori autorizzati

Distributori di stock non autorizzati

Rivenditori non autorizzati

Vedi tutte le interruzioni di prezzo

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	49AC0265	10	1		3,010	1,950	1,340	1,110	1,110	13h
Newark		IGB30N60H3ATMA1	10	1	Cut Tape	0,461	0,461	0,461	0,461	0,461
Arrow Electronics		IGB30N60H3ATMA1	370	1		1,334	1,334	1,334	1,334	1,334
DigiKey	3	IGB30N60H3ATMA1CT-ND	3414	1	Cut Tape	3,090	2,004	1,383	1,117	1,117
Farnell	3	IGB30N60H3ATMA1	5799	1	Cut Tape	3,054*	1,977*	1,622*	1,039*	1,039*	11h

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: +1.17%

Modelli CAD

Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP

Parti alternative

0 parti disponibili

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IGB30N60H3ATMA1.

Upverter

Datasheet14 pagine15 anni fa

IHS

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:

+1.17%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IGB30N60H3ATMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTE	eCAD	mCAD	FILE
EE Concierge	SimboloImpronta

Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD

Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginGermany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-08-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Parti correlate

STMicroelectronicsSTGB30H60DLFB

HB Series 600 V 60 A 260 W Surface Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - D2PAK-3

Dettagli

STMicroelectronicsSTGB30H60DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

Dettagli

STMicroelectronicsSTGB30V60DF

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed

Dettagli

onsemiFGB30N6S2

Tube Surface Mount N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.5V @ 15V 12A 45A 167W 6ns/40ns

Dettagli

InfineonAUIRGS30B60K

Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Dettagli

InfineonIRGS30B60KTRRP

Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IGB30N60H3ATMA1 fornite dai suoi distributori.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Infineon IGB30N60H3ATMA1 IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3, Through Hole

TodayComponents

IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins

Avnet

600 V HIGH SPEED IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

High speed 600 V, 30 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

Infineon

IGBT, SINGLE, 600V, 60A, TO-263; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:187W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins

element14 APAC

Igbt, 600V, 60A, 175Deg C, 187W; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.95V; Power Dissipation:187W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1

Newark

Immagini

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: