Infineon BSZ110N08NS5ATMA1

BSZ110N08NS5 Series 80 V 40 A OptiMOSTM5 Power-Transistor - PG-TSDSON-8 FL
$ 0.556
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsBSZ110N08NS5ATMA150005K
Newark
2
BSZ110N08NS5ATMA105Cut Tape
AvnetBSZ110N08NS5ATMA105K
2d
Future Electronics
2
BSZ110N08NS5ATMA105KTape & Reel
Component Stockers USABSZ110N08NS5ATMA123.234
>1wk

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BSZ110N08NS5ATMA1.

ODG (Origin Data Global)

Datasheet12 pagine0 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
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Supply Chain

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Parti correlate

InfineonBSC117N08NS5ATMA1
Transistor, Power MOSFET, N-Channel, 80V, 49A, 50W, TDSON-8
Dettagli
InfineonBSC097N06NSATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 46A Automotive 8-Pin TDSON T/R
Dettagli
InfineonBSB104N08NP3GXUSA1
Trans MOSFET N-CH 80V 13A Automotive 7-Pin WDSON T/R
Dettagli
onsemiFDD13AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 13mΩ
Dettagli
onsemiFDD13AN06A0-F085
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 50A, 13.5mΩ
Dettagli
onsemiFDD86380-F085
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 50 A, 13.5 mΩ
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSZ110N08NS5ATMA1 fornite dai suoi distributori.

BSZ110N08NS5 Series 80 V 40 A OptiMOSTM5 Power-Transistor - PG-TSDSON-8 FL
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Surface Mount
Avnet
OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially designed for Synchronous Rectification for telecom and server power supplies. In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapter. Within seven different packages, the OptiMOS™ 5 80 V MOSFETs offer the industry’s lowest RDS(on). Additionally, compared to the previous generation, OptiMOS™ 5 80 V has an RDS(on) reduction of up to 43%.
Infineon
Mosfet, N-Ch, 80V, 40A, 150Deg C, 50W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSZ110N08NS5ATMA1
Newark

Immagini

element14 APAC
TME
RS
Future Electronics
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSZ110N08NS5
  • SP001154280