Infineon BSG0811NDATMA1

Mosfet 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON / Trans Mosfet N-ch 25V 31A/50A 8-PIN Tison Ep T/r
$ 0.995
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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSG0811NDATMA132851Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSG0811NDATMA115791
Future ElectronicsBSG0811NDATMA150005KTape & Reel
Rochester ElectronicsBSG0811NDATMA1121.889
23h
DigiKey
3
BSG0811NDATMA1CT-ND56.3361Cut Tape

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet14 pagine0 anni fa

TME

Newark

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Trend di 3 mesi:
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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-08-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

InfineonBSG0813NDIATMA1
Mosfet, Dual, N-Ch, 25V, Tison Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSG0813NDIATMA1
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onsemiFDMS2510SDC
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 25V 28A 8-Pin Power 56 T/R
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InfineonBSG0810NDIATMA1
Mosfet, dual, N-Ch, 25V, 50A, Tison Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1
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International RectifierIRF6810STRPBF
Trans MOSFET N-CH 25V 16A 6-Pin Direct-FET S1 T/R
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STMicroelectronicsSTD70N2LH5
Trans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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onsemiNTD4865NT4G
Power MOSFET 25V 44A 10.9 mOhm Single N Channel DPAK
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSG0811NDATMA1 fornite dai suoi distributori.

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON / Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
Win Source
6.25KW 16V 2V 5.6nC@ 4.5V @ Q1,20nC@ 4.5V @ Q2 1N,2N 25V 3m¦¸@ 10V @ Q 1,800¦Ì¦¸@ 10V @ Q 2 50A 780pF@ 12V @ Q 1,2.7nF@ 12V @ Q 2 TISON(EP) , 1.1mm
UnikeyIC
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 50A, TISON; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Power Dissipation Pd: 6.25W; Transistor Case Style: TISON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS 5 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
Mosfet, N-Ch, 25V, 50A, 150Deg C, 6.25W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:25V; Drain Source Voltage Vds P Channel:25V; Continuous Drain Current Id N Channel:50A; Continuous Drain Current Id P Channel:50A Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSG0811NDATMA1
Newark
OptiMOS™ 5 Power Block is a leadless SMD package in a 5.0x6.0mm² package outline, including a low-side and a high-side MOSFET in a synchronous buck converter configuration. By replacing two separate discrete packages, such as SO8 or SuperSO8, with the OptiMOS™ 5 Power Block, customers can shrink their designs up to 85%. Standardizing power packages benefits the customer, as the number of different package outlines available in the market place is minimized.
Infineon

Immagini

Newark
TME
RS
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSG0811ND
  • SP001075902