Infineon BSC032NE2LSATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
$ 0.335
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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSC032NE2LSATMA130641Cut Tape
Arrow Electronics
3
BSC032NE2LSATMA110.0001
Rochester ElectronicsBSC032NE2LSATMA116.356
23h
DigiKey
2
BSC032NE2LSATMA1CT-ND13831Cut Tape
Future Electronics
2
BSC032NE2LSATMA105KTape & Reel

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet10 pagine13 anni fa
Datasheet13 pagine0 anni fa

Factory Futures

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Dettagli
InfineonIRF8788TRPBF
Single N-Channel 30 V 2.8 mOhm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Dettagli
InfineonBSC030N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Dettagli
onsemiFDMS7660
N-Channel 30 V 2.8 mOhm Surface Mount Power Trench Mosfet - Power 56
Dettagli
onsemiFDMS7660AS
N-Channel 30 V 42 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench® SyncFETTM - Power56
Dettagli
onsemiFDMS8020
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 131A, 2.5mΩ
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSC032NE2LSATMA1 fornite dai suoi distributori.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Epart123
2.5W 20V 2V 7.7nC@ 4.5V,16nC@ 10V 1N 25V 3.2m¦¸@ 10V 84A 1.2nF@ 12V SON , 5.9mm*5.15mm*1.27mm
UnikeyIC
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON T/R
Avnet
Compliant Surface Mount Contains Lead Tape & Reel 2.8 ns 3.2 mΩ Halogen Free
Augswan
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 25V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
MOSFET, N-CH, 25V, 84A, TDSON; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 84A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 37W; Transistor Case Style: TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Immagini

element14 APAC
TME
RS
LZChips
RS APAC

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSC032NE2LS
  • SP000854378