Infineon BSC0302LSATMA1
$ 1
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BSC0302LSATMA1 | 9302 | 13h | |||||||||
| Avnet | BSC0302LSATMA1 | 0 | 5K | 15h | ||||||||
| Farnell | BSC0302LSATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | 13h | |||||||
| Win Source | WS-BSC0302LSATMA1 | 20 | 23 | 14h | ||||||||
| Worldway Electronics | BSC0302LSATMA1 | 19.658 | 7 | Tape & Reel | 1d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.14%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BSC0302LSATMA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-12-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Descrizioni
Descrizioni di Infineon BSC0302LSATMA1 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET N-Channel 120V 99A 8-Pin SOIC
Mosfet, N-Ch, 120V, 99A, Pg-Tdson Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC0302LSATMA1
MOSFET, N-CH, 120V, 99A, PG-TDSON; Available until stocks are exhausted
OptiMOS™ PD power MOSFET is Infineon’s portfolio targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS™ low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS™ PD features quality products in compact, lightweight packages.Click here to view full portfolio.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.14%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)99 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation156 W
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità