Infineon BSC025N03LSGATMA1
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Obsolete
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Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-03-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Parti correlate
InfineonIRFH5301TRPBF
INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
InfineonIRFH8318TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
onsemiNTMFS4898NFT1G
NTMFS4898N: Power MOSFET 30V 117A 3 mOhm Single N-Channel with Integrated Schottky SO-8FL
Descrizioni
Descrizioni di Infineon BSC025N03LSGATMA1 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 30 V 2.5 mO 74 nC 36 nC Surface Mount OptiMOS Power Mosfet - TDSON-8
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
25 A 30 V 0.0036 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
MOSFET, N-CH, 30V, 100A, 8TDSON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Resistance3.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.6 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance2.5 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation83 W
Rds On Max2.5 mΩ
Rise Time6.2 ns
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità