Infineon BSC019N04LSATMA1
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
InfineonIPB120N04S402ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
InfineonIPB120N04S401ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK N-Channel 40 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonBSC022N04LSATMA1
Mosfet, N-Ch, 40V, 100A, Tdson Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC022N04LSATMA1
STMicroelectronicsSTH175N4F6-6AG
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di Infineon BSC019N04LSATMA1 fornite dai suoi distributori.
BSC019N04LS Series 40 V 27 A SMT OptiMOSTM Power-MOSFET - PG-TDSON-8
2.5W 20V 2V 41nC@ 10V，21nC@ 4.5V 1individualNChannel 40V 1.9mΩ@ 10V 100A 2.9nF@ 20V TDSON-8 SMD mount，glue mount 5.9mm*5.15mm*1.27mm
OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 78W; Transistor Case Style: TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -43.92%
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Resistance2.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.9 nF
Max Dual Supply Voltage40 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance1.9 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation78 W
Rds On Max1.9 mΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità