Infineon BSC007N04LS6ATMA1

Mosfet TRENCH 40V N channel 0.7mohm Power pack 5x6 PG-TDSON-8
$ 1.852
Production
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DistributorSKUMinPkg
AvnetBSC007N04LS6ATMA150005K
1d
Newark
2
BSC007N04LS6ATMA15631Cut Tape
DigiKey
3
BSC007N04LS6ATMA1CT-ND33391Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSC007N04LS6ATMA188131
Future Electronics
2
BSC007N04LS6ATMA105KTape & Reel

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BSC007N04LS6ATMA1.

IHS

Datasheet12 pagine0 anni fa

TME

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
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Supply Chain

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-07-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSC007N04LS6ATMA1 fornite dai suoi distributori.

Mosfet TRENCH 40V N channel 0.7mohm Power pack 5x6 PG-TDSON-8
Future Electronics
N-Channel 40V 100A 2.3V @ 250uA 0.7mΩ @ 50A,10V 188W TDSON-8 FL MOSFET RoHS
Jak Electronics
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
20V 2.3V 94nC 1N 40V 700¦Ì¦¸@ 10V,50A 100A 8.4nF@ 20V TDSON-8
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 319A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, TDSON;
Farnell
N-CH 40V 100A 0.7mOhm TDSON-8FL
Rutronik
Compliant 1 mm 3 W 1 8 ns 40 ns 175 °C
Augswan
FET Input Operational Amplifier
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.
Mosfet, N-Ch, 40V, 100A, Tdson; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC007N04LS6ATMA1
Newark
The OptiMOS™ 6 power MOSFET 40 V family is optimized for a variety of applications and circuits, such as synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) in servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers and ORing circuits.Improvements in on-state resistance (RDS(on)) and figure of merits (FOM - RDS(on) x Qg and Qgd) enable designers to increase efficiency, allowing easier thermal design and less paralleling, leading to system cost reduction.
Infineon

Immagini

RS
TME
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSC007N04LS6
  • SP001629650