Infineon AUIRFL014NTR
$ 0.442
Obsolete
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Distributori autorizzati
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIRFL014NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.16Ohm;ID 1.9A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-20V
InfineonIRFL014NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.16Ohm;ID 1.9A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-20V
InfineonBSP295H6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.8 A, 300 Milliohms, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
Diodes Inc.ZXMS6004SGTA
Current Limit SW 1-IN 1-OUT 0V to 5.5V 2.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Descrizioni
Descrizioni di Infineon AUIRFL014NTR fornite dai suoi distributori.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 Package, SOT223-4, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 55V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
MOSFET, N-CH, 55V, 1.9A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.9A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Port Injection
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time3.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance190 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance160 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time7.1 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità