Infineon AUIRF3805S-7P
$ 5.51
Obsolete
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -64.92%
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTH250N55F3-6
N-channel 55 V, 2.2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III Power MOSFET
InfineonAUIRFS3006-7P
MOSFET, N-CH, 60V, 293A, D2PAK-7P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
STMicroelectronicsSTH270N4F3-6
STH270N4F3-6 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 40 V, 8-Pin H2PAK
InfineonAUIRF2804S-7P
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package, D2PAK7P, RoHS
VishaySQM200N04-1M1L-GE3
SQM200N04-1M1L-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 200 A, 40 V, 7-PIN TO-263
Descrizioni
Descrizioni di Infineon AUIRF3805S-7P fornite dai suoi distributori.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 240A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
MOSFET,N CH,55V,160A,D2PAK7; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Pd:300W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Braking
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -64.92%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.6 mΩ
Package Quantity50
Power Dissipation300 W
Rds On Max2.6 mΩ
Rise Time130 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height4.55 mm
Length10.35 mm
Width10.05 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità