Infineon AIKW50N65DH5XKSA1

Name: Infineon AIKW50N65DH5XKSA1
Brand: Infineon
SKU: AIKW50N65DH5XKSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

$ 4.147

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	AIKW50N65DH5XKSA1	210	210					4,900	4,900
Newark	AIKW50N65DH5XKSA1	0	1		6,940	5,200	4,970	4,970	4,970
Avnet	AIKW50N65DH5XKSA1	0	240					3,597	3,561	13h
Farnell	AIKW50N65DH5XKSA1	0	1		5,791*	4,054*	4,040*	3,946*	3,946*	11h
Mouser	726-AIKW50N65DH5XKSA	244	1	Tube	7,500	5,230	3,800	3,670	3,410

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IHS

Datasheet16 pagine0 anni fa

TME

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Supply Chain

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-07-03

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2027-01-31

LTD Date2027-07-31

Descrizioni

Descrizioni di Infineon AIKW50N65DH5XKSA1 fornite dai suoi distributori.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

IHS

TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT technology redefines “best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications.

Infineon

IGBT, AEC-Q101, 650V, 80A, 270W, TO-247; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.66V; Power Dissipation Pd: 270W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No.

Farnell

Igbt, Single, 650V, 80A, To-247; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.66V; Power Dissipation:270W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies AIKW50N65DH5XKSA1

Newark

Immagini

Farnell

TME

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: