Intersil IRF520
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 SnapEDA | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1994-01-01
Descrizioni
Descrizioni di Intersil IRF520 fornite dai suoi distributori.
N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE TO-220AB SILICON Mosfet Transistor 9.2A 100V 0.27Ohm
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
POWER, N-CHANNEL, MOSFET
Alias del produttore
Intersil ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Intersil può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- INTER
- INTERS
- ISL
- INTERSI
- Intersil Corporation
- INTERSIL CORP
- INTESIL
- INSL
- INTR
- INTERSL
- INTS
- Intersil (Renesas Electronics America)
- Harris Semiconductor
- INTERSIL/HARRIS
- INTRSL
- INTSL
- INERSIL
- HARRIS SEMI
- Intersil (Renesas Electronics Corporation)
- Intersil(Renesas Electronics)
- INTERSIL CHINA LIMITED
- Intersil / Renesas
- INTERSIL/PBF
- Harris / Intersil
- INTERSIL A RENESAS COMPANY
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.2 A
Drain to Source Resistance270 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage100 V
Number of Elements1
Power Dissipation60 W