GoFord G33N03D3

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.011ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
$ 0.269
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GoFord

Datasheet6 pagine3 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-14.41%

Supply Chain

Country of OriginChina
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541290000
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 10 months ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 10 months ago)

Descrizioni

Descrizioni di GoFord G33N03D3 fornite dai suoi distributori.

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.011ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
30V 33A 20W 12m´Î@10V18A 1.1V@250Ã×A 2 N-Channel DFN3.3x3.3-8L MOSFETs ROHS
N-CH 30V 30A 13mOhm/MAX at 10V, 18mOhm/MAX at 4.5V, DFN3.3x3.3-8L
MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
9m¦¸ 33A PDFNWB-8

Alias del produttore

GoFord ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. GoFord può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Goford Semiconductor
  • GOFORD SEMICONDUCTOR CO LTD