GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J
$ 10.249
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
1200V 75mΩ TO-263-7 G3R™ SiC MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1200V, 0.097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 42A, 224W; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:224W Rohs Compliant: Yes |Genesic G3R75MT12J
Alias del produttore
GeneSiC Semiconductor ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. GeneSiC Semiconductor può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Terminals7
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Resistance97 mΩ
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation196 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schede tecniche e documenti
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