GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K
$ 14.95
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -85.20%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-05-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K fornite dai suoi distributori.
106nC@ 15 V 333W(Tc) 2.929nF@800V 48m¦¸@ 35A,15V 71A 1.2KV 2.69V@10mA 18V 1N TO-247-4
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247
1200V 40mΩ TO-247-4 G3R™ SiC MOSFET
场效应管, MOSFET, SIC, N沟道, 1.2KV, 71A, 333W;
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 1200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Alias del produttore
GeneSiC Semiconductor ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. GeneSiC Semiconductor può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -85.20%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-4
MountThrough Hole
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)67 A
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation281 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schede tecniche e documenti
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