GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J
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Modelli CAD
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Parti alternative
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J fornite dai suoi distributori.
1200V 350mΩ TO-263-7 G3R™ SiC MOSFET
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 8-Pin(7+Tab) TO-263
场效应管, MOSFET, SIC, N沟道, 1.2KV, 11A, 75W;
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1200V, 0.395ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 11A, 75W; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:75W Rohs Compliant: Yes |Genesic G3R350MT12J
Alias del produttore
GeneSiC Semiconductor ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. GeneSiC Semiconductor può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Terminals7
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance395 mΩ
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation64 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schede tecniche e documenti
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