GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -10.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D fornite dai suoi distributori.
MOSFET, SIC, N-CH, 1.2KV, 11A, 74W; Available until stocks are exhausted
1200V 350mΩ TO-247-3 G3R™ SiC MOSFET
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
场效应管, MOSFET, SIC, N沟道, 1.2KV, 11A, 74W;
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1200V, 0.455ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 11A, 74W; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:74W Rohs Compliant: Yes |Genesic G3R350MT12D
Alias del produttore
GeneSiC Semiconductor ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. GeneSiC Semiconductor può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -10.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance455 mΩ
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schede tecniche e documenti
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