GaN Systems GS61008T-MR
$ 4.51
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | GS61008T-MR | 0 | 250 | |||||||||
| Component Stockers USA | GS61008T-MR | 3746 | >1wk | |||||||||
| XScomponents | GS61008T-MR | 0 | 3K | 3h |
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per GaN Systems GS61008T-MR.
Modelli CAD
Scarica il simbolo GaN Systems GS61008T-MR, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Descrizioni
Descrizioni di GaN Systems GS61008T-MR fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin GaNPX T/R
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Gallium Nitride, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias del produttore
GaN Systems ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. GaN Systems può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- GAN SYSTEMS INC
- GaNPower
- GaN Systems / Infineon
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Dimensions
Height621 µm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per GaN Systems GS61008T-MR.