onsemi SFP9Z24

Name: onsemi SFP9Z24
Brand: onsemi
SKU: SFP9Z24

Tube Through Hole P-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 9.7A Tc 49W Tc 60V -55C~175C TJ

$ 0.197

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		SFP9Z24	1489					0,238	0,197	0,176	3h
Win Source		WS-SFP9Z24	4000	170					0,266	0,230	3h
Worldway Electronics		SFP9Z24	28.035	7	Tube		0,169	0,166	0,160	0,157	1d
Fly-Wing Technology		SFP9Z24	1660			0,403	0,331	0,320	0,300	0,300	2d
QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD	2	SFP9Z24	Contatto								>1wk

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IHS

Datasheet7 pagine23 anni fa

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-12-04

LTD Date2010-06-04

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Descrizioni

Descrizioni di onsemi SFP9Z24 fornite dai suoi distributori.

Tube Through Hole P-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 9.7A Tc 49W Tc 60V -55C~175C TJ

Fly-Wing Technology

MOSFET P-CH 60V 9.7A TO220-3

DigiKey Marketplace

Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFETs PCh/60V/9.7a/0.28Ohm

Mouser

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)9.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage-60 V

Drain to Source Resistance280 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time20 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance600 pF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation49 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation49 W

Rds On Max280 mΩ

Rise Time21 ns

Turn-Off Delay Time29 ns

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet7 pagine23 anni fa

Conformità

Classificazione ambientale

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Rohs Statement1 pagina13 anni fa

Rohs Statement1 pagina14 anni fa

Reach Statement2 pagine13 anni fa

Reach Statement8 pagine11 anni fa