Prezzo e stock
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQP19N20L.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-09-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQP19N20L fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
N-CHANNEL POWER MOSFET
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Current Rating21 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max140 mΩ
Rise Time300 ns
Turn-Off Delay Time130 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Schede tecniche e documenti
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