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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
InfineonIRF9Z24NSPBF
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
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60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQB7P06TM fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.41ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
P-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Current Rating-7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance410 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance295 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max410 mΩ
Rise Time50 ns
Turn-Off Delay Time7.5 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità