Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQB2P25TM.
Modelli CAD
Scarica il simbolo onsemi FQB2P25TM, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQB2P25TM fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET P-CH 250V 2.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
P-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 250V P-Channel QFET
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Current Rating-2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-250 V
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max4 Ω
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Voltage Rating (DC)-250 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQB2P25TM.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità