Prezzo e stock
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Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQAF11N90.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQAF11N90 fornite dai suoi distributori.
900V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF
900V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 900V, 0.96ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 900V 7.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.2 A
Current Rating7.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance960 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation120 W
Rds On Max960 mΩ
Rise Time135 ns
Turn-Off Delay Time165 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height16.7 mm
Length15.7 mm
Width5.7 mm
Schede tecniche e documenti
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