Diodes Inc. ZXMP6A16DN8QTA
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. ZXMP6A16DN8QTA.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-02-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN6070SSD-13
DMN6070 Series 60 V 3.3 A 80 mOhm Dual N-Ch. Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
VishaySI7949DP-T1-E3
Dual P-Channel 60 V 0.064 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXMP6A16DN8QTA fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 60V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 60V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
P-Channel (Dual) 60 V 2.9 A 85 mOhm SMT Enhancement Mode Mosfet - SO-8
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.085ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.021 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.81 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max85 mΩ
Rise Time4.1 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. ZXMP6A16DN8QTA.