Diodes Inc. ZXMP10A18KTC
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +403%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-08-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMN10A25KTC
DIODES INC. ZXMN10A25KTC MOSFET Transistor, N Channel, 6.4 A, 100 V, 125 mohm, 10 V, 4 V
Diodes Inc.DMN10H170SK3-13
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; 0.16ohm; 17W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Diodes Inc.ZXMN7A11KTC
ZXMN7A11K Series 70 V 0.13 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - DPAK
InfineonIRFR9120NTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.48Ohm;ID -6.6A;D-Pak (TO-252AA);PD 40W
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXMP10A18KTC fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
P-Channel 100 V 0.15 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - DPAK
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex PChannel EnhancedMOSTube, Vds=100 V, 5.9 A, DPAK (TO-252)encapsulation, surface mount, 3Pin
MOSFET, P-CH, 100V, 5.9A, TO-252;
MOSFET P-CHANNEL 100V 5.9A DPAK
MOSFET,P CH,100V,3.8A,DPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.9A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; Power
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +403%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.055 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10.2 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation4.3 W
Rds On Max150 mΩ
Resistance150 mΩ
Rise Time6.8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time33.9 ns
Turn-On Delay Time4.9 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità