Diodes Inc. ZXMN3A01F
$ 0.056
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +332%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMN3B01FTA
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE V(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.24Ω; ID=2A SOT23
Diodes Inc.ZXMP3A13FTA
Power MOSFET, Low Voltage, P Channel, 30 V, 1.6 A, 0.21 ohm, SOT-23, Surface Mount
InfineonBSS306NH6327XTSA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.041ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXMN3A01F fornite dai suoi distributori.
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.12ohm;
Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23
806mW 20V 3.9nC@ 10V 30V 120m¦¸@ 10V 190pF@ 25V SOT-23
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:2A; Resistance, Rds On:0.12ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:8A; No. of Pins:3; Power, Pd:625mW; Power, Ptot:625mW; Resistance, Rds on Max:0.12ohm; SMD Marking:7N3; Temperature, Current:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Rds Measurement:10V; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Min:1V
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +332%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation806 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation806 mW
Threshold Voltage1 V
Schede tecniche e documenti
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