Diodes Inc. ZVP2120GTA
$ 0.332
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZVP2120GTA | 5000 | 1K | 4d | ||||||||
| Newark | ZVP2120GTA | 151 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZVP2120GCT-ND | 205 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZVP2120GTA | 0 | 1 | 23h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZVP2120GTA | 0 | 100 | Bulk | 15h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -29.58%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Parti correlate
Diodes Inc.ZXMP2120G4TA
ZXMP2120G4 Series P-Channel 200 V 25 Ohm Power MOSFET Surface Mount - SOT-223-3
VishayIRFL210PBF.
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2 W
VishayIRFL210TRPBF
IRFL210TRPBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.96 A, 200 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZVP2120GTA fornite dai suoi distributori.
P-Channel 200 V 25 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-223
Trans MOSFET P-CH 200V 0.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
2W(Ta) 3.5V@1mA 1P 200V 25¦¸@ 150mA,10V 200mA 100pF@25V SOT-223-3 6.7mm*3.7mm*1.65mm
Mosfet, P-Ch, 200V, 0.2A, Sot-223 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZVP2120GTA
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance100 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max25 Ω
Resistance25 Ω
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant