Diodes Inc. ZVN4206AV
$ 0.406
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.47%
Modelli CAD
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZVN4206ASTZ
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.6A, E-Line Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZVN4206ASTZ
onsemi2N7000-D75Z
2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
onsemi2N7000-D74Z
2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZVN4206AV fornite dai suoi distributori.
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
MOSFET, N, LOGIC, E-LINE; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:700mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:600mA; Current Temperature:25°C; Device Marking:ZVN4206AV; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:1.27mm; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Ptot Max:700mW; Pulse Current Idm:8A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.47%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)600 mA
Current Rating600 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance100 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation700 mW
Rds On Max1 Ω
Resistance1 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità