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Diodes Inc. ZTX789A

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
$ 0.531
EOL
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. ZTX789A.

Newark

Datasheet3 pagine19 anni fa
Datasheet3 pagine19 anni fa

IHS

Diodes Inc SCT

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-0.07%

Modelli CAD

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Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28

Parti correlate

Tape & Box (TB) Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 1V 1A 800mW 110MHz
Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 1A 110MHz 800mW Through Hole TO-92-3
onsemiSS8550DTA
Bipolar Transistor BJT PNP Epitaxial Silicon 25V 1500mA 200MHz 1W TO-92-3
onsemiSS8550CTA
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Tape & Box (TB) Through Hole PNP KSB564 Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 100mA 1V 1A 800mW 110MHz
onsemiKSA642YTA
Tape & Box (TB) Through Hole PNP KSA642 Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 50mA 1V 300mA 400mW 25V

Descrizioni

Descrizioni di Diodes Inc. ZTX789A fornite dai suoi distributori.

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Bipolar Transistors - BJT PNP Super E-Line
500mV@ 100mA,3A PNP 1W -5V 100nA -25V 25V 3A EP-3SC , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
TRANSISTOR, PNP, E-LINE; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:300; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:450mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic @ Vce Sat:2A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:2A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:200; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:8A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:25V

Alias del produttore

Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated