Diodes Inc. DXT3904-13

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
$ 0.19
Production
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DistributorSKUMinPkg
TME
2
DXT3904-1301
21h
NewarkDXT3904-1305Cut Tape
AvnetDXT3904-1302500
8h
Arrow ElectronicsDXT3904-1302500
Farnell
2
DXT3904-1305Cut Tape
5h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DXT3904-13.

Newark

Datasheet6 pagine11 anni fa

element14 APAC

Diodes Inc SCT

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-100%
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Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-11-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

Diodes Inc.DXT2222A-13
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Surface Mount
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Diodes Inc.2DD1766P-13
Small Signal Bipolar Transistor, 0.002A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Diodes Inc.2DD1664R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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onsemiKSC2883YTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 160 @ 500mA 2V 1.5A 1W 120MHz
Dettagli
onsemiKSC2883OTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 500mA 2V 1.5A 1W 120MHz
Dettagli
ROHM2SD2662T100
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Diodes Inc. DXT3904-13 fornite dai suoi distributori.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
IHS
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Verical
BIPOLAR, TRANSISTOR, NPN, SOT-89; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor Case Style: SOT-89; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 200mV; Current Ic Continuous a Max: 200mA; Gain Bandwidth ft Typ: 300MHz; Hfe Min: 100; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device
Farnell
Transistor, Npn, 40V, 200Ma, 1W, Sot-89; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:40V; Frecuencia De Transición Ft:300Mhz; Disipación De Potencia Pd:1W; Corriente De Colector Dc:200Ma; Núm. De Contactos:4 |Diodes Inc. DXT3904-13
Newark

Immagini

Farnell
element14
element14 APAC
TME

Alias del produttore

Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated