Diodes Inc. DMT6010LFG-7
$ 0.525
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMT6010LFG-7 | 2055 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMT6010LFG-7 | 2000 | 2K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | DMT6010LFG-7 | 2000 | 2K | |||||||||
| Verical | DMT6010LFG-7 | 2000 | 2K | |||||||||
| DigiKey | DMT6010LFG-7DICT-ND | 5810 | 1 | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +575%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMT6010LFG-7.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-04-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
onsemiFDMS5361L-F085
75W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 44nC@ 10 V 1N 60V 15m¦¸@ 16.5A,10V 35A 1.98nF@25V QFN 6mm*5mm*1.1mm
Diodes Inc.DMT6009LFG-7
Mosfet, N-Ch, 60V, 34A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6009LFG-7
InfineonIPD350N06LGBTMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor
STMicroelectronicsSTD20NF06T4
N-channel 60 V, 0.032 Ohm typ., 24 A Power MOSFET in DPAK package
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMT6010LFG-7 fornite dai suoi distributori.
Mosfet, N-Ch, 60V, 30A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6010LFG-7
Trans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 / N-Channel 60 V 13A (Ta), 30A (Tc) 2.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CH 60V 30A 7,5mOhm PwDI3333-8
IC FULLY INTEG PROCESSOR 64TQFP
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +575%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight72.007789 mg
Technical
Capacitance2.09 nF
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance11.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.09 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41 W
Manufacturer Package IdentifierPOWERDI3333-8
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time4.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23.4 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height850 µm
Schede tecniche e documenti
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