Diodes Inc. DMT6007LFG-7
$ 0.702
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMT6007LFG-7 | 61 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMT6007LFG-7 | 2000 | 2K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | DMT6007LFG-7DICT-ND | 3890 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMT6007LFG-7 | 1624 | 1 | Bulk | 5h | |||||||
| Arrow Electronics | DMT6007LFG-7 | 2000 | 2K |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +35.85%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMT6007LFG-7.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Diodes Inc. DMT6007LFG-7, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-11-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
InfineonIPD90N06S405ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N06S405ATMA2
InfineonIPD90N06S405ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N06S405ATMA2
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMT6007LFG-7 fornite dai suoi distributori.
TRANSISTOR, N-CHANNEL, ENHANCEMENT MODE MOSFET, 60V, 12A, PWRDI3333-8
Mosfet, N-Ch, 60V, 80A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6007LFG-7
DMT6007 Series 60 V 15 A 6 mOhm 2.2 W 41.3 nC N-Channel MOSFET - POWERDI3333-8
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
DiodesZetex NMOS, Vds=60 V, PowerDI3333-8, , 8
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +35.85%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.09 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Manufacturer Package IdentifierPOWERDI3333-8
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max6 mΩ
Turn-Off Delay Time23.4 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height850 µm
Schede tecniche e documenti
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