Diodes Inc. DMP4025LSD-13
$ 0.659
NRND
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +836%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMP4025LSD-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-27
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMC4029SSD-13
Dual N/P-Channel 40 V 34/55 mOhm 8.8/10.6 nC 1.8 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8
VishaySI4909DY-T1-GE3
SI4909DY-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.5 A, 40 V, 8-PIN SOIC
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMP4025LSD-13 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 40V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
DMP4025LSD: 40 V 25 mOhm Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
MOSFET, DUAL P-CH, -40V, SOIC8; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.6A; Source Voltage Vds:-40V; On Resistance
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +836%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Fall Time30.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.64 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max25 mΩ
Rise Time14.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.3 V
Turn-Off Delay Time53.7 ns
Turn-On Delay Time6.9 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità