Diodes Inc. DMP2104LP-7
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -40.89%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMP2104LP-7 fornite dai suoi distributori.
Single P-Channel 20 V 500 mW Silicon Surface Mount Mosfet - DFN-3
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin DFN T/R
20V 1.5A 500mW 150mΩ@4.5V,900mA P Channel DFN-3(1.1x1.4) MOSFETs ROHS
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0.0012uF 50Volts C0G 5%
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET P-CHANNEL 20V 1.5A DFN3
MOSFETs - Low Threshold Voltage P-Channel
P-CH MOS-FET 1,5A 20V DFN1411-3
500mW(Ta) 12V 1V@ 250µA 1individualPChannel 20V 150mΩ@ 950mA,4.5V 1.5A 320pF@16V DFN-1411-3 SMD mount 1.1mm*1.4mm*500μm
MOSFET, P-CH, -20V, DFN1411; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -1.5A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 500mW; Transistor Case Style: DFN1411; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -40.89%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance320 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation500 mW
Rds On Max150 mΩ
Resistance240 mΩ
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-1 V
Dimensions
Height480 µm
Length1.4 mm
Width1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità