Diodes Inc. DMP2066UFDE-7
$ 0.199
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP2066UFDE-7 | 1745 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMP2066UFDE-7DICT-ND | 2356 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP2066UFDE-7 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Avnet | DMP2066UFDE-7 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMP2066UFDE-7 | 0 | 25 | Bulk | 6h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -10.44%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMP2066UFDE-7.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | SimboloImpronta | Scarica |
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Parti correlate
Diodes Inc.DMN2016LHAB-7
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMP2066UFDE-7 fornite dai suoi distributori.
Mosfet, P-Ch, 20V, 6.2A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2066UFDE-7
Single P-Channel 20 V 75 mOhm 14.4 nC 2.03 W Silicon SMT Mosfet - UDFN-6
660mW(Ta) 12V 1.1V@ 250¦ÌA 14.4nC@ 4.5 V 1P 20V 36m¦¸@ 4.6A,4.5V 6.2A 1.537nF@10V UDFN-20206
Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A Automotive 6-Pin DFN EP T/R
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P CHANNEL, TRANS,20V 6.2A DFN6 EP
场效应管, MOSFET, P沟道, 20V, 6.2A, U-DFN2020;
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -10.44%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.537 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.03 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max36 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time79.1 ns
Turn-On Delay Time13.7 ns
Dimensions
Height580 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità