Diodes Inc. DMN6068LK3-13
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Tendenza a 3 mesi: +828%
Modelli CAD
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMN6A25KTC
ZXMN6A25K Series N-Channel 60 V 0.05 Ohm Power MOSFET Surface Mount - TO-252-3
Diodes Inc.ZXMN6A08KTC
Mosfet, N-Ch, 60V, 5.36A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMN6A08KTC
Diodes Inc.ZXMP6A16KTC
Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 60V DPAK
InfineonIRFR9024NTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.175Ohm;ID -11A;D-Pak (TO-252AA);PD 38W
InfineonIRFR9024NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.175Ohm;ID -11A;D-Pak (TO-252AA);PD 38W
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN6068LK3-13 fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 8.5 A, 68 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 60V, 6A, TO252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.068ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dis
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +828%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance68 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance502 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation8.49 W
Manufacturer Package IdentifierTO252 (DPAK)
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.12 W
Rds On Max68 mΩ
Rise Time10.8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11.9 ns
Turn-On Delay Time3.6 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità