Diodes Inc. DMN33D8LDW-7
$ 0.09
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN33D8LDW-7 | 0 | 1 | 1h | ||||||||
| Avnet | DMN33D8LDW-7 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | DMN33D8LDW-7 | 0 | 3K | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN33D8LDW-7 | 0 | 3K | |||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | DMN33D8LDW-7 | 56.867 | 1 | Tape & Reel | 1d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -98.63%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN33D8LDW-7.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Diodes Inc. DMN33D8LDW-7, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti correlate
Diodes Inc.DMN63D8LDW-7
Dual N-Channel 30 V 2.8 O 0.3 W SMT Enhancement Mode MosFet - SOT-363
Diodes Inc.DMN63D8LDWQ-7
400mW 20V 1.5V@ 250¦ÌA 0.87nC@ 10V 2N 30V 2.8¦¸@ 250mA,10V 220mA 22pF@25V SOT-363
onsemiNVTJD4001NT2G
Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V, 250mA, 1.5Ω Automotive Version of the NTJD4001N
VishaySI1539CDL-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm
InfineonBSD316SNH6327XTSA1
BSD316 Series 30V 1.4A 500mW 160mOhm Single N-Channel MOSFET SOT363-6
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN33D8LDW-7 fornite dai suoi distributori.
350mW 20V 1.5V@ 100¦ÌA 1.23nC@ 10V 2N 30V 2.4¦¸@ 250mA,10V 250mA 48pF@5V SOT-363
Trans MOSFET N-CH 30V 250A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 250 mA, 2.4 ohm
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet Bvdss: 25V~30V Sot363 T&r 3K
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 0.25A, 0.35W; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:250mA; On Resistance Rds(on):2.4ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -98.63%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)250 mA
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance48 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Rds On Max2.4 Ω
Schedule B8541210080
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN33D8LDW-7.