Diodes Inc. DMN3024LSD-13
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Tendenza a 3 mesi: +0.45%
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Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMC3028LSD-13
Dual N/P-Channel 30 V 0.045/0.041 Ohm 5.2/16.4 nC 2.1 W Silicon Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF9410TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;gFS 14
Diodes Inc.DMN3025LSS-13
Single N-Channel 30 V 31 mOhm 6 nC 1.4 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7807VTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 17 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Diodes Inc.DMC3028LSDX-13
Dual N/P-Channel 30 V 35/41 mOhm 6/10.9 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN3024LSD-13 fornite dai suoi distributori.
Mosfet, Dual, N-Ch, 30V, 6.8A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3024LSD-13
Dual N-Channel 30 V 6.8 A 1.8 W Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SO-8
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.024 ohm
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-Pin SO T/R
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 30V, 6.8A;
MOSFET, DUAL, N-CH, 30V, 6.8A;
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.45%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance608 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2 W
Rds On Max24 mΩ
Rise Time3.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time2.9 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità