Diodes Inc. DMN3018SSS-13
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -60.71%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN3018SSS-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
onsemiNTMS4800NR2G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 4.9A Ta 6.4A 2W 6.5ns
Diodes Inc.DMN4800LSSL-13
Single N-Channel 30 V 20 mOhm 8.7 nC 1.46 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMC3016LSD-13
N & P-Channel 30 V 8.2A/6.2A Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet
onsemiNTMS4872NR2G
30 V, 10.2 A, 13.5 mOhm Single N-Channel Power MOSFET, SO-8, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN3018SSS-13 fornite dai suoi distributori.
1.4W(Ta) 25V 2.1V@250µA 13.2nC@10V N-Ch MOSFET 30V 21mΩ@10A,10V 7.3A 697pF@15V SOIC-8 SMD
N-Channel 30 V 21 mO 13.2 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A Automotive 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CHANNEL, TRANS,30V 7.3A SO8
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -60.71%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance21 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance697 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max21 mΩ
Rise Time4.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20.1 ns
Turn-On Delay Time4.3 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN3018SSS-13.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità