Diodes Inc. DMN26D0UT-7
$ 0.126
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -56.28%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN26D0UT-7.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Diodes Inc. DMN26D0UT-7, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMG1012T-7
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; 0.4ohm; 0.28W; -55+150 deg.C; SMD; SOT523; AEC-Q100
Diodes Inc.DMP21D0UT-7
P-Channel 20 V 495 mOhm 1.54 nC Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-523
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN26D0UT-7 fornite dai suoi distributori.
Trans Mosfet N-Ch 20V 0.23A 3-Pin Sot-523 T/r Rohs Compliant: Yes
N-Channel 20 V 3 Ohm SMT Enhancement Mode Mosfet - SOT-523
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 20V, SOT-523-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 230mA; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 1.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power Dissipation Pd: 300mW; Transistor Case Style: SOT-523; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Transistors - FETs, MOSFETs - Single 1 (Unlimited) SOT-523 Surface Mount MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Cut Tape (CT) 3 Ω @ 100mA, 4.5V 230mA Ta -55°C~150°C TJ MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -56.28%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-523
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.012816 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)230 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance14.1 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 mW
Rds On Max3 Ω
Resistance3 Ω
Rise Time7.9 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time13.4 ns
Turn-On Delay Time3.8 ns
Dimensions
Height900 µm
Length1.7 mm
Width850 µm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN26D0UT-7.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità